一种改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置
文献类型：专利
| 作者 | 肖金泉, 郎文昌, 孙超, 宫骏, 杜昊, 赵彦辉, 杨英 and 闻立时 |
| 发表日期 | 2008-12-03 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种新型的改善电弧离子镀沉积 工艺的动态磁控弧源装置。所述改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置设 有动态控制磁场发生装置、靶材、靶材底座,靶材安装于靶材底座上,动态控制 磁场发生装置为主控磁场发生装置和辅助磁场发生装置构成,主控磁场发生装置 放置于靶材后面,和靶材同轴放置,辅助磁场发生装置套在主控磁场发生装置周 围。本实用新型通过两组磁场发生装置配合使用,在靶面上形成动态分布的拱形 磁场,达到改善弧斑的放电形式和工作稳定性,控制弧斑的运动轨迹,提高靶材 刻蚀均匀性和靶材利用率,减少靶材大颗粒的发射... |
| 公开日期 | 2008-12-03 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201158702 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66810]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖金泉, 郎文昌, 孙超, 宫骏, 杜昊, 赵彦辉, 杨英 and 闻立时. 一种改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置. 2008-12-03. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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