一种化学机械抛光液
文献类型：专利
| 作者 | 张劲松, 梁艳 and 张军旗 |
| 发表日期 | 2005-06-01 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明属于微电子加工领域中的化学机械抛光技术,具体公开一种超大规模集成电路制作工艺中多层绝缘膜全局平面化加工用的化学机械抛光液。它以球形纳米介孔粉体为磨料,按重量百分比计,其成分包括3～30球形纳米介孔粉体为磨料,0.01～12份分散稳定剂,0.01～12份表面处理剂,同时加入pH调节剂至pH值为8.5～12.5,余量的高纯去离子水。本发明利用该磨料富含的表面羟基及其在水溶液中优异的单分散性,用于IC加工过程中对层间介质的全局平面化抛光,避免了对抛光表面的亚微米划伤,平整度高、易清洗,抛光速率高。可用于超大规模集成电路制作工艺中的CMP精抛过程以及其他光学材料的精密抛光。 |
| 公开日期 | 2005-06-01 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN1621469 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66995]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张劲松, 梁艳 and 张军旗. 一种化学机械抛光液. 2005-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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