一种具有高活性的中孔型纳米二氧化硅粉体的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 张瑞静, 杨柯 and 熊天英 |
| 发表日期 | 2003-11-26 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 一种具有高活性的中孔型纳米二氧化硅粉体的制备方法,包括：将硅酸酯类水解—缩聚反应制备出SiO2溶胶,进而生成SiO2凝胶；将SiO2凝胶陈化、干燥；其特征在于：将陈化、干燥后的纯白色、非晶态SiO2粉体在150～200℃温度热处理,时间5～8小时；及：将热处理后的粉体进行球磨,时间8～48小时。本发明可制备出粒径分布为5～50nm、平均孔径为5.1～5.9nm、孔隙率为85～93％、表面羟基含量为51～55％的中孔型纳米SiO2粉末。可用作选择性吸附剂、装载催化剂以及各种传感器,也可用于油墨吸收剂和记录纸以... |
| 公开日期 | 2003-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN1458064 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67099]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张瑞静, 杨柯 and 熊天英. 一种具有高活性的中孔型纳米二氧化硅粉体的制备方法. 2003-11-26. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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