一种脉冲微波强化高压低温等离子体化学反应装置
文献类型：专利
| 作者 | 张劲松, 杨永进, 张军旗, 刘强 and 沈学逊 |
| 发表日期 | 2002-06-05 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 一种脉冲微波强化高压低温等离子体化学反应装置,其特征在于：该装置由波导—同轴转换(1)、同轴腔(2)、带重入柱的TM010谐振腔(3)连接构成；同轴腔(2)的内导体(21)深入到TM010谐振腔(3)中,并通过高压引入结构(22)引入等离子体激发电压。本发明可以使等离子体得到有效控制,从而可以实现等离子体化学合成的产业化。 |
| 公开日期 | 2002-06-05 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN1351901 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67241]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张劲松, 杨永进, 张军旗, 刘强 and 沈学逊. 一种脉冲微波强化高压低温等离子体化学反应装置. 2002-06-05. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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