一种纳米层状Ta2AlC陶瓷粉体及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 周延春, 胡春峰 and 包亦望 |
| 发表日期 | 2008-03-19 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及单相纳米层状陶瓷粉体及制备方法,具体为一种原位反应制备纳 米层状Ta2AlC陶瓷粉体及其制备方法。所述纳米层状Ta2AlC陶瓷属六方晶系, 空间群为P63/mmc,单胞晶格常数a为3.08,c为13.85。它是优良的热电导 体,可以作为金属基复合材料的增强相,也可以作为陶瓷基复合材料的弱界面相 提高韧性,具有实际应用价值。单相Ta2AlC粉体具体制备方法是：首先,以钽粉、 铝粉、石墨粉为原料,干燥条件下在树脂罐中球磨5～30小时,过筛后装入石墨 ... |
| 公开日期 | 2008-03-19 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN101143789 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67274]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周延春, 胡春峰 and 包亦望. 一种纳米层状Ta2AlC陶瓷粉体及其制备方法. 2008-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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