一种纳米氮化硼管的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 成会明, 范月英, 魏永良, 苏革, 张伟刚, 刘敏 and 沈祖洪 |
| 发表日期 | 1999-12-15 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 一种纳米氮化硼管的制备方法,其特征在于：以TiB2、TaB2、MoB、Mo2B5金属硼化物为催化剂和硼源,以氮气为稀释气,在高温下气相生长生成BN管,生长温度区间为1100℃—1400℃,生长时间1—2小时,NH4Cl与N2的摩尔比为1∶5—1∶12。本发明可以生成比电弧法和激光烧蚀法纯度高和质量高的BN管。 |
| 公开日期 | 1999-12-15 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN1238304 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67276]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成会明, 范月英, 魏永良, 苏革, 张伟刚, 刘敏 and 沈祖洪. 一种纳米氮化硼管的制备方法. 1999-12-15. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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