一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 成会明, 任文才, 吴忠帅, 裴嵩峰, 汤代明, 高力波, 刘碧录, 李峰 and 刘畅 |
| 发表日期 | 2011-04-20 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及场发射电子材料领域,特别提供了一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法。该方法包括：(1)采用超声方法将石墨烯与可以提供电荷的金属阳离子无机盐均匀分散在极生较低的有机溶剂中,或将石墨烯直接分散在离子型表面活性剂的水溶液中,制备出稳定的带电荷的石墨烯溶液；(2)在外加电场作用下,利用电泳沉积方法将带有电荷的石墨烯有序沉积在导电基板上,制备出石墨烯薄膜。本发明场发射材料为均匀致密、由富含垂直于表面的石墨烯片层组成的石墨烯薄膜,该方法具有操作简单、成本低、可控性好的特点,适于制备大面积的石墨烯薄膜,石墨烯薄膜优异的场发射特性为其作为冷阴极材料在高性能场发射显示器等方面的应用奠定了基础。 |
| 公开日期 | 2011-04-20 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN102021633A |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67469]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成会明, 任文才, 吴忠帅, 裴嵩峰, 汤代明, 高力波, 刘碧录, 李峰 and 刘畅. 一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法. 2011-04-20. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。