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一种碳纳米管宏观体的制备方法

文献类型:专利

作者成会明, 刘庆丰, 任文才, 李峰 and 丛洪涛
发表日期2010-06-09
专利国别中国
专利类型发明专利
权利人中国科学院金属研究所
中文摘要本发明涉及碳纳米管的制备技术,具体为一种碳纳米管宏观体的制备方法,适用于制备单壁、双壁或多壁碳纳米管的宏观体。该方法采用含铁(钴或镍)催化剂和含硫生长促进剂,在气态下充分混合均匀,进入反应区生成碳纳米管。所生成碳纳米管漂浮在气相,随着气流方向进入低温区并过滤沉积到多孔材料上,从而形成具有多层碳纳米管薄膜堆积而成的碳纳米管宏观体。本发明可简单地通过调节工艺参数来控制碳纳米管微观结构、单层碳纳米管薄膜的堆积密度和宏观体的厚度,并且该方法具有产物产量高、纯度高、成本低的特点。
公开日期2010-06-09
语种中文
专利申请号CN101723349A
源URL[http://210.72.142.130/handle/321006/67538]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
成会明, 刘庆丰, 任文才, 李峰 and 丛洪涛. 一种碳纳米管宏观体的制备方法. 2010-06-09.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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