一种碳纳米管宏观体的制备方法
文献类型:专利
作者 | 成会明, 刘庆丰, 任文才, 李峰 and 丛洪涛 |
发表日期 | 2010-06-09 |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明专利 |
权利人 | 中国科学院金属研究所 |
中文摘要 | 本发明涉及碳纳米管的制备技术,具体为一种碳纳米管宏观体的制备方法,适用于制备单壁、双壁或多壁碳纳米管的宏观体。该方法采用含铁(钴或镍)催化剂和含硫生长促进剂,在气态下充分混合均匀,进入反应区生成碳纳米管。所生成碳纳米管漂浮在气相,随着气流方向进入低温区并过滤沉积到多孔材料上,从而形成具有多层碳纳米管薄膜堆积而成的碳纳米管宏观体。本发明可简单地通过调节工艺参数来控制碳纳米管微观结构、单层碳纳米管薄膜的堆积密度和宏观体的厚度,并且该方法具有产物产量高、纯度高、成本低的特点。 |
公开日期 | 2010-06-09 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN101723349A |
源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67538] |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 成会明, 刘庆丰, 任文才, 李峰 and 丛洪涛. 一种碳纳米管宏观体的制备方法. 2010-06-09. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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