一种向金属材料中引入氦的方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘实, 王隆保, 郑华, 马爱华, 于洪波 and 王贤艳 |
| 发表日期 | 2004-11-24 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 一种向金属材料中引入氦的方法,采用溅射镀膜技术,其特征在于：在镀膜的同时,向膜材表面注入低能氦离子束,离子束的能量低于1000eV。通过实施本发明的技术,较好地解决了向材料(膜材)中引入高浓度氦的问题。与传统方法相比,引入效率高,费用少,氦含量高。 |
| 公开日期 | 2004-11-24 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN1548573 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67640]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘实, 王隆保, 郑华, 马爱华, 于洪波 and 王贤艳. 一种向金属材料中引入氦的方法. 2004-11-24. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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