一种氧化铬涂层制备工艺
文献类型：专利
| 作者 | 孙超, 纪爱玲, 闻立时, 王启民, 汪伟, 汪爱英, 郑静地, 肖金泉, 曹鸿涛 and 柯培玲 |
| 发表日期 | 2004-06-23 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种氧化铬涂层制备工艺,采用电弧离子镀法,以纯铬作为阴极靶,阳极和真空室相连,阴极和阳极分别接在低压、大电流直流电源的负极和正极,所述直流电源的电流为10～100A,工作电压为15～40V,用氧气作反应气体,用Ar气作保护气体,镀膜前加-700V～-1000V的高偏压,利用辉光放电轰击基体表面2～5min,弧电流Ia：30～60A,弧电压：15～40V,对基体轰击完后,通入氧气,氧流量：60～270sccm,工作压强：4.0～8.0×10-1Pa,脉冲偏压Vp：0～-500V,占空比为0～40％。采用本发明经济、无公害... |
| 公开日期 | 2004-06-23 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN1506492 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67677]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙超, 纪爱玲, 闻立时, 王启民, 汪伟, 汪爱英, 郑静地, 肖金泉, 曹鸿涛 and 柯培玲. 一种氧化铬涂层制备工艺. 2004-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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