一种用等离子体制备的一维金属纳米材料及其方法
文献类型：专利
| 作者 | 耿殿禹, 张志东, 张维山, 李万锋, 司平占, 李耀标, 陈圣林, 刘伟, 赵新国 and 熊定康 |
| 发表日期 | 2005-06-15 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种用等离子体制备的一维金属纳米材料(纳米棒或纳米线),所述的一维金属纳米材料线束长度大于1mm,一维金属纳米材料的表面覆有一层氧化铝,一维金属纳米材料内部是非晶态的Fe、Co、Ni、Cu、Cr之一种或者其与Al的固溶体。其方法是采用电弧放电产生等离子体的制备方法,所用消耗阳极的成分是,原子百分比,Al3～70％,Fe、Co、Ni、Cu、Cr之一种97～30％；制备过程在氩气气氛中进行,氩气压强为0.001～0.5MPa。本发明提供的用等离子体制备一维金属纳米材料的方法的优点在于：制得的纳米线束长,纳米线稳定,纳米线的直径小；对于Fe、Co和Ni的一维金属纳米材料,则被磁铁吸引,显铁... |
| 公开日期 | 2005-06-15 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN1626300 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67731]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 耿殿禹, 张志东, 张维山, 李万锋, 司平占, 李耀标, 陈圣林, 刘伟, 赵新国 and 熊定康. 一种用等离子体制备的一维金属纳米材料及其方法. 2005-06-15. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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