一种原位反应热压合成V2AlC块体陶瓷及其制备方法
文献类型:专利
作者 | 周延春, 胡春峰 and 包亦望 |
发表日期 | 2009-07-22 |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明专利 |
权利人 | 中国科学院金属研究所 |
中文摘要 | 本发明涉及单相块体陶瓷及制备方法,具体为一种原位反应热压合成V2AlC 块体陶瓷及其制备方法。本发明V2AlC块体陶瓷由单相V2AlC组成,通过原位 反应热压技术所制备的单相V2AlC相对密度为98~99%,所制备样品中平均晶粒 尺寸长度范围为49~405μm,宽度范围为19~106μm。以钒粉、铝粉和石墨粉 为原料,干燥条件下在树脂罐中球磨12~24小时,过筛后装入石墨模具中冷压成 型,在真空或通有氩气的热压炉内烧结,升温速率为10~15℃/分钟,烧结温度 ... |
公开日期 | 2009-07-22 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN101486576 |
源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67793] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 周延春, 胡春峰 and 包亦望. 一种原位反应热压合成V2AlC块体陶瓷及其制备方法. 2009-07-22. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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