一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置及方法
文献类型：专利
| 作者 | 肖金泉, 张露, 石南林, 宫骏 and 孙超 |
| 发表日期 | 2011-11-23 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术,具体为一种在连续SiC纤维表面上沉积薄膜的装置及方法,一方面在连续SiC纤维表面沉积出厚度均匀的薄膜；一方面解决沉积化合物薄膜靶材中毒的问题,实现沉积过程的连续性和稳定性。该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室,工件转架置于磁控溅射真空室中,靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中,中频脉冲磁控溅射电源的阴极与靶材I相接,中频脉冲磁控溅射电源的阳极与靶材II相接。本发明通过调节磁控溅射装置中真空室内的气体流量、反应气体种类、溅射时间等,实现在连续SiC纤维表面沉积不同种类和不同厚度的金属或化合物薄膜,对Si... |
| 公开日期 | 2011-11-23 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN102251224A |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67811]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖金泉, 张露, 石南林, 宫骏 and 孙超. 一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置及方法. 2011-11-23. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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