一种在钛碳化硅材料表面制备硅化物涂层的方法
文献类型：专利
| 作者 | 张亚明, 李美栓, 刘光明 and 周延春 |
| 发表日期 | 2002-11-13 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明属于表面工程技术,具体是一种在钛碳化硅(Ti3SiC2)材料表面制备硅化物涂层的方法,渗料由硅粉、氧化铝粉、氟硅酸钾、氟化钠固体粉末混合物组成,Ti3SiC2材料用渗料包埋后在1000～1200℃保温2～8小时进行热扩散处理。所获得的涂层由二硅化钛(TiSi2)和碳化硅(SiC)两相组成,厚度为10～60微米。涂层在1000～1200℃空气中氧化后主要形成SiO2膜,恒温氧化的抛物线速度常数相比Ti3SiC2材料降... |
| 公开日期 | 2002-11-13 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN1379000 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67827]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张亚明, 李美栓, 刘光明 and 周延春. 一种在钛碳化硅材料表面制备硅化物涂层的方法. 2002-11-13. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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