一种真空开关用低偏析铜铬触头的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 郑志, 朱耀霄, 马凯 and 刘文礼 |
| 发表日期 | 2004-04-14 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 一种真空开关用低偏析铜铬触头的制备方法,其特征在于采用真空感应熔炼,直接铸造成片型触头的技术,工艺参数为：真空度小于20Pa,待金属铬完全溶化后,再在1600-1900℃,搅拌精炼10-20分钟,控制浇铸温度1600-1700℃。本发明由于采用感应熔炼加热和铸造技术的方式,金相组织均匀,晶粒细化,产品致密。由于采用真空脱氧的方法,产品的气体含量较低。由于真空感应炉是较为普遍的熔炼设备,工艺控制简单,生产成本低,适合于大批量的工业生产。 |
| 公开日期 | 2004-04-14 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN1489162 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67838]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑志, 朱耀霄, 马凯 and 刘文礼. 一种真空开关用低偏析铜铬触头的制备方法. 2004-04-14. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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