一种制备TaC纳米粉末材料的方法
文献类型：专利
| 作者 | 耿殿禹, 张志东, 李达, 王振华, 刘先国, 佟敏, 张滨, 胡魁义, 任卫军 and 宋小平 |
| 发表日期 | 2008-12-10 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 一种制备TaC纳米粉末材料的方法,纳米粉末的外壳为碳,其特征在 于：用氩气和乙醇作为工作气体,采用电弧放电产生等离子体的制备技术； 所用消耗阳极的成分为Ta,所用消耗阴极的成分为石墨；制备TaC纳米粉 末是在氩气和C2H5OH混合气氛中进行,氩气压强为0.5kPa-0.5MPa,C2H5OH 所用量与工作腔体积成正比,为0.05-5ml/升；所用消耗阳极与阴极距离 为0.1mm-5cm,电弧放电的电流为8-600A,电压为5-50V。由于用乙 醇,利用其分解,... |
| 公开日期 | 2008-12-10 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN101318653 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67847]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 耿殿禹, 张志东, 李达, 王振华, 刘先国, 佟敏, 张滨, 胡魁义, 任卫军 and 宋小平. 一种制备TaC纳米粉末材料的方法. 2008-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。