一种制备定向纳米孪晶的方法
文献类型：专利
| 作者 | 王新丽, 郭敬东, 吴稀勇 and 王宝全 |
| 发表日期 | 2008-08-13 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及纳米孪晶技术,具体为一种制备定向纳米孪晶的方法。处理方法 为脉冲电流处理,放电周期1μs～500μs,最大峰值电流密度103～105A/mm2,单个 脉冲的持续时间1μs～10000μs。本技术的特点在于：脉冲电流处理过程中,材料 经过固-固相变点；脉冲电流处理后的材料具有与电流方向平行的定向纳米孪晶结 构。 |
| 公开日期 | 2008-08-13 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN101240405 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67854]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王新丽, 郭敬东, 吴稀勇 and 王宝全. 一种制备定向纳米孪晶的方法. 2008-08-13. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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