一种籽晶起始端抑制杂晶形成和长大的方法及模壳结构
文献类型：专利
| 作者 | 李金国, 赵乃仁, 王志辉, 金涛, 侯桂臣, 郑启, 孙晓峰, 管恒荣 and 胡壮麒 |
| 发表日期 | 2005-01-26 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及单晶高温合金的制备技术,特别提供了一种籽晶起始端抑制杂晶形成和长大的方法及模壳结构。其方法是以籽晶法为基础,预置籽晶于模壳内,在起始端设一缩颈结构,抑制籽晶生长的起始端形成的杂晶,使合金熔体在籽晶的未熔化界面上以外延生长的方式长成单晶。所用模壳结构为预置籽晶的模壳结构,在模壳底部设一缩颈结构,于籽晶生长起始部位的上方。本发明是将以往的籽晶法起始端设计与缩颈选晶器的设计结合起来,从而这样既可以对单晶生长的起始过程出现的杂晶进行抑制和排除,又可以保证获得所需的晶体取向,提高单晶生长的成功率。 |
| 公开日期 | 2005-01-26 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN1570224 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67910]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李金国, 赵乃仁, 王志辉, 金涛, 侯桂臣, 郑启, 孙晓峰, 管恒荣 and 胡壮麒. 一种籽晶起始端抑制杂晶形成和长大的方法及模壳结构. 2005-01-26. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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