用碳包裹TaC的纳米胶囊制备的微型低温超低频信号元件
文献类型:专利
作者 | 耿殿禹, 谢志高, 姜菁菁, 刘先国, 王瀚, 韩拯, 张强, 王振华, 杨腾, 康强, 胡魁义, 宋小平, 李达 and 张志东 |
发表日期 | 2012-05-09 |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明专利 |
权利人 | 中国科学院金属研究所 |
中文摘要 | 本发明用纯金属钽(Ta)做阳极,石墨(C)做阴极在氩气和酒精中,用电弧放电法制备碳包裹碳化钽(TaC)的纳米胶囊.将纳米胶囊压成0.1mm厚、1mm宽、约5mm长的长条块.将长条块固定在同样大小的绝缘板上.用银胶将输入电流电极,和输出电压电极固定在上面,旁边附热电偶,即成为一个微型低温超低频信号元件。如图29所示:元件的宽度为1mm;1和2为直流电流输入端;3是TaC的纳米胶囊压成0.1mm厚、1mm宽、约5mm长的长条块;4是绝缘板;5和6是超低频电压信号输出端;7和8是超低频温度信号输出端;9是热电偶。 |
公开日期 | 2012-05-09 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN102447054A |
源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67938] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 耿殿禹, 谢志高, 姜菁菁, 刘先国, 王瀚, 韩拯, 张强, 王振华, 杨腾, 康强, 胡魁义, 宋小平, 李达 and 张志东. 用碳包裹TaC的纳米胶囊制备的微型低温超低频信号元件. 2012-05-09. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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