贮氢合金的还原处理
文献类型：专利
| 作者 | 花均社, 胡壮麒, 张海峰, 侯万良 and 孙文声 |
| 发表日期 | 2000-07-05 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 一种贮氢合金的还原处理,适用于快速凝固贮氢合金和其他方法制备的贮氢合金,其特征在于：将待处理合金粉放入1～10倍水中,向其中加入次亚磷酸钠溶液,合金粉与次亚磷酸钠的重量比为1∶0．5～1∶15,同时进行搅拌,处理温度：20～60℃,处理时间：3～48小时。本发明可以迅速有效地提高贮氢合金的初期电化学活性。 |
| 公开日期 | 2000-07-05 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN1258936 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/68010]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 花均社, 胡壮麒, 张海峰, 侯万良 and 孙文声. 贮氢合金的还原处理. 2000-07-05. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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