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一种无TiC杂质的Ti3SiC2材料的制备方法

文献类型:专利

作者周延春 张海斌 刘明月 闫程科 王京阳
发表日期2006-01-04
专利国别中国
权利人中国科学院金属研究所
公开日期2013-06-19
语种中文
专利申请号03133510.1
源URL[http://210.72.142.130/handle/321006/68144]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
周延春 张海斌 刘明月 闫程科 王京阳. 一种无TiC杂质的Ti3SiC2材料的制备方法. 2006-01-04.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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