表面等离子体增强GaN基LED的研究
文献类型:学位论文
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| 作者 | 安铁雷 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2013 ; 2013 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 ; 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 ; 北京 |
| 导师 | 段瑞飞 ; 段瑞飞 |
| 学位专业 | 材料工程 |
| 学位专业 | 材料工程 |
| 学科主题 | 半导体器件 ; 半导体器件 |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 公开日期 | 2013-06-24 ; 2013-06-24 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24233] ![]() |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安铁雷. 表面等离子体增强GaN基LED的研究, 表面等离子体增强GaN基LED的研究[D]. 北京, 北京. 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院. 2013, 2013. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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