神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈诺夫
|
| 刊名 | 空间科学学报
 |
| 出版日期 | 2004-11-30 |
| 卷号 | 24期号:6页码:455-461 |
| 关键词 | 神舟3号飞船 微重力 GaMnSb 稀磁半导体 |
| 通讯作者 | 张富强 |
| 中文摘要 | 利用神舟3号飞船(SZ-3)上的多样品空间晶体炉制备出GaMnSb材料.所设计的石英安瓿使用氧化铝棉毡和特殊设计制造的氮化硼坩锅进行减震,经受住了严峻的力学环境的考验,完成了材料的空间生长实验,达到了空间生长材料的初步要求.对空间生长的GaMnSb晶体进行了X射线能谱分析和X射线衍射分析,发现空间生长的GaMnSb是多晶结构.对未获得GaMnSb单晶的原因进行了分析,发现空间晶体炉温度的波动和提供能量的不足是导致生成GaMnSb多晶结构的主要原因.由于在晶体生长的初始阶段晶体炉提供的能量不足,使GaSb单晶部分未能熔化,从而导致GaMnSb材料的生长在没有籽晶的情况下进行. |
| 资助信息 | 国家载人航天工程,国家自然科学基金项目(60176001) |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-08-03 ; 2010-08-20 |
| 源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/42432]  |
| 专题 | 力学研究所_力学所知识产出(1956-2008) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈诺夫. 神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析[J]. 空间科学学报,2004,24(6):455-461. |
| APA | 陈诺夫.(2004).神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析.空间科学学报,24(6),455-461. |
| MLA | 陈诺夫."神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析".空间科学学报 24.6(2004):455-461. |
入库方式： OAI收割
来源：力学研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。