中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
Enhancement of the photoluminescence intensity of porous silicon by absorbed organic molecule

文献类型:期刊论文

作者Yin F ; Li XP ; Xiao XR ; Zhang BW ; Cao Y ; Chen JR ; Li GH ; Han HX ; Wang ZP
刊名chinese science bulletin
出版日期1998
卷号43期号:7页码:616-616
ISSN号1001-6538
通讯作者yin f,chinese acad sci,inst photog chem,beijing 100101,peoples r china.
学科主题半导体材料
收录类别SCI
语种英语
公开日期2010-08-12
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13184]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
Yin F,Li XP,Xiao XR,et al. Enhancement of the photoluminescence intensity of porous silicon by absorbed organic molecule[J]. chinese science bulletin,1998,43(7):616-616.
APA Yin F.,Li XP.,Xiao XR.,Zhang BW.,Cao Y.,...&Wang ZP.(1998).Enhancement of the photoluminescence intensity of porous silicon by absorbed organic molecule.chinese science bulletin,43(7),616-616.
MLA Yin F,et al."Enhancement of the photoluminescence intensity of porous silicon by absorbed organic molecule".chinese science bulletin 43.7(1998):616-616.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。