可控电参数的低位错磷化铟单晶制备
文献类型：成果
| 主要完成人 | 叶式中 ; 刘巽琅 ; 刘思林 ; 孙同年 ; 焦景华 |
| 获奖日期 | 1985 |
| 获奖类别 | 国家科技进步奖 |
| 获奖等级 | 三等奖 |
| 关键词 | 磷化铟 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 英文摘要 | 于G批量导入至Hzhangdi; Made available in DSpace on 2010-04-13T00:43:32Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 1985 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/10932]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶式中,刘巽琅,刘思林,等. 可控电参数的低位错磷化铟单晶制备. 国家科技进步奖:三等奖. 1985. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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