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GaAs/GaAlAs量子阱光学性质研究

文献类型:成果

主要完成人徐仲英 ; 李玉璋 ; 葛惟锟 ; 许继宗 ; 郑宝真
获奖日期1987
获奖类别院科技进步奖
获奖等级三等奖
关键词GaAs/GaAlAs
学科主题半导体物理
英文摘要于G批量导入至Hzhangdi; Made available in DSpace on 2010-04-13T00:43:34Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 1987
语种中文
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/10966]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
徐仲英,李玉璋,葛惟锟,等. GaAs/GaAlAs量子阱光学性质研究. 院科技进步奖:三等奖. 1987.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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