掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备
文献类型：成果
| 主要完成人 | 梁骏吾 ; 邓礼生 ; 郑红军 ; 黄大定 ; 栾洪发 |
| 获奖日期 | 1988 |
| 获奖类别 | 院科技进步奖 |
| 获奖等级 | 一等奖 |
| 关键词 | 硅单晶 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 英文摘要 | 于G批量导入至Hzhangdi; Made available in DSpace on 2010-04-13T00:43:34Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 1988 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/10974]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁骏吾,邓礼生,郑红军,等. 掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备. 院科技进步奖:一等奖. 1988. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。