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全平面结构8mm小功率开关保护器

文献类型:成果

主要完成人郑东 ; 王良臣 ; 方浦明 ; 王莉 ; 邹立寿
获奖日期1991
获奖类别院科技进步奖
获奖等级三等奖
关键词砷化镓
学科主题半导体器件
英文摘要于G批量导入至Hzhangdi; Made available in DSpace on 2010-04-13T00:43:36Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 1991
语种中文
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/11010]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
郑东,王良臣,方浦明,等. 全平面结构8mm小功率开关保护器. 院科技进步奖:三等奖. 1991.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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