中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
ф2”和 ф3”非掺Si-GaAs单晶(片)研究

文献类型:成果

主要完成人林兰英 ; 曹福 ; 白玉珂 ; 惠峰 ; 卜俊鹏
获奖日期1996
获奖类别院科技进步奖
获奖等级二等奖
关键词Si-GaAs
学科主题半导体材料
英文摘要于G批量导入至Hzhangdi; Made available in DSpace on 2010-04-13T00:43:40Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 1996
语种中文
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/11086]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
林兰英,曹福,白玉珂,等. ф2”和 ф3”非掺Si-GaAs单晶(片)研究. 院科技进步奖:二等奖. 1996.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。