Effect of propane/silane ratio on the growth of 3C-SiC thin films on Si (100) substrates by APCVD
文献类型：期刊论文
| 作者 | Shi B(石彪) ; Liu XC(刘学超) ; Zhu MX(朱明星) ; Yang JH(杨建华) ; Shi EW(施尔畏) |
| 刊名 | Applied Surface Science
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| 出版日期 | 2012-07-27 |
| 卷号 | 259期号:1页码:685-690 |
| ISSN号 | 0169-4332 |
| 其他题名 | Effect of propane/silane ratio on the growth of 3C-SiC thin films on Si (100) substrates by APCVD |
| 通讯作者 | 刘学超 |
| 学科主题 | 人工晶体 |
| 收录类别 | SCI收录 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-07-19 |
| 源URL | [http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/3755]  |
| 专题 | 上海硅酸盐研究所_中试基地_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Shi B,Liu XC,Zhu MX,et al. Effect of propane/silane ratio on the growth of 3C-SiC thin films on Si (100) substrates by APCVD[J]. Applied Surface Science,2012,259(1):685-690. |
| APA | 石彪,刘学超,朱明星,杨建华,&施尔畏.(2012).Effect of propane/silane ratio on the growth of 3C-SiC thin films on Si (100) substrates by APCVD.Applied Surface Science,259(1),685-690. |
| MLA | 石彪,et al."Effect of propane/silane ratio on the growth of 3C-SiC thin films on Si (100) substrates by APCVD".Applied Surface Science 259.1(2012):685-690. |
入库方式： OAI收割
来源：上海硅酸盐研究所
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