浮区法生长Sc2Si2O7:Ce单晶的光学、闪烁和热释光性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | Feng He 99 ; 任国浩 ; Mitch M.C. Chou 99 ; Chenlong Chen 99 ; Wusheng Xu 99 ; Zhongshi Liu 99 |
| 刊名 | Optical Materials
 |
| 出版日期 | 2012-01-21 |
| 卷号 | 34期号:7页码:1003-1006 |
| ISSN号 | 0925-3467 |
| 其他题名 | Optical, scintillation and thermally stimulated luminescence properties of Sc2Si2O7:Ce single crystal grown by floating zone method |
| 通讯作者 | Mitch M.C. Chou |
| 学科主题 | 闪烁晶体 |
| 收录类别 | SCI收录 |
| 公开日期 | 2013-07-19 |
| 源URL | [http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/3757]  |
| 专题 | 上海硅酸盐研究所_中试基地_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Feng He 99,任国浩,Mitch M.C. Chou 99,等. 浮区法生长Sc2Si2O7:Ce单晶的光学、闪烁和热释光性质[J]. Optical Materials,2012,34(7):1003-1006. |
| APA | Feng He 99,任国浩,Mitch M.C. Chou 99,Chenlong Chen 99,Wusheng Xu 99,&Zhongshi Liu 99.(2012).浮区法生长Sc2Si2O7:Ce单晶的光学、闪烁和热释光性质.Optical Materials,34(7),1003-1006. |
| MLA | Feng He 99,et al."浮区法生长Sc2Si2O7:Ce单晶的光学、闪烁和热释光性质".Optical Materials 34.7(2012):1003-1006. |
入库方式： OAI收割
来源：上海硅酸盐研究所
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