High-speed Homoepitaxial Growth of 4H-SiC
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhu MX(朱明星) ; Shi B(石彪) ; Chen Y(陈义) ; Liu XC(刘学超) ; Shi EW(施尔畏) |
| 刊名 | Journal of Inorganic Materials
 |
| 出版日期 | 2012-08-06 |
| 卷号 | 27期号:8页码:785-789 |
| ISSN号 | 1000-324X |
| 其他题名 | High-speed Homoepitaxial Growth of 4H-SiC |
| 通讯作者 | 刘学超 |
| 学科主题 | 人工晶体 |
| 收录类别 | SCI收录 |
| 语种 | 中文 |
| WOS记录号 | WOS:000307844200001 |
| 公开日期 | 2013-07-19 |
| 源URL | [http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/3761]  |
| 专题 | 上海硅酸盐研究所_中试基地_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhu MX,Shi B,Chen Y,et al. High-speed Homoepitaxial Growth of 4H-SiC[J]. Journal of Inorganic Materials,2012,27(8):785-789. |
| APA | 朱明星,石彪,陈义,刘学超,&施尔畏.(2012).High-speed Homoepitaxial Growth of 4H-SiC.Journal of Inorganic Materials,27(8),785-789. |
| MLA | 朱明星,et al."High-speed Homoepitaxial Growth of 4H-SiC".Journal of Inorganic Materials 27.8(2012):785-789. |
入库方式： OAI收割
来源：上海硅酸盐研究所
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