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Investigation of room temperature ferromagnetism of 3C-SiC by vanadium carbide doping

文献类型:期刊论文

作者Wang H(王辉) ; Yan CF(严成锋) ; Kong HK(孔海宽) ; Chen JJ(陈建军) ; Xin J(忻隽) ; Shi EW(施尔畏)
刊名Applied Physics Letters
出版日期2012-10-02
卷号101期号:1页码:142404-1-142404-4
ISSN号0003-6951
其他题名Investigation of room temperature ferromagnetism of 3C-SiC by vanadium carbide doping
通讯作者严成锋
学科主题晶体学
收录类别SCI收录
语种英语
WOS记录号WOS:000309603300063
公开日期2013-07-19
源URL[http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/3770]  
专题上海硅酸盐研究所_中试基地_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Wang H,Yan CF,Kong HK,et al. Investigation of room temperature ferromagnetism of 3C-SiC by vanadium carbide doping[J]. Applied Physics Letters,2012,101(1):142404-1-142404-4.
APA 王辉,严成锋,孔海宽,陈建军,忻隽,&施尔畏.(2012).Investigation of room temperature ferromagnetism of 3C-SiC by vanadium carbide doping.Applied Physics Letters,101(1),142404-1-142404-4.
MLA 王辉,et al."Investigation of room temperature ferromagnetism of 3C-SiC by vanadium carbide doping".Applied Physics Letters 101.1(2012):142404-1-142404-4.

入库方式: OAI收割

来源:上海硅酸盐研究所

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