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Defects mediated ferromagnetism in a V-doped 6H-SiC single crystal

文献类型:期刊论文

作者Zhuo SY(卓世异) ; Liu XC(刘学超) ; Xiong Z(熊泽) ; 99 ; Xin J(忻隽) ; Yang JH(杨建华) ; Shi EW(施尔畏)
刊名Chinese Physics B
出版日期2012-01-02
卷号21期号:6页码:067503-1-067503-4
ISSN号1674-1056
其他题名Defects mediated ferromagnetism in a V-doped 6H-SiC single crystal
通讯作者刘学超
学科主题人工晶体
收录类别SCI收录
语种英语
WOS记录号WOS:000305403900078
公开日期2013-07-19
源URL[http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/3772]  
专题上海硅酸盐研究所_中试基地_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhuo SY,Liu XC,Xiong Z,et al. Defects mediated ferromagnetism in a V-doped 6H-SiC single crystal[J]. Chinese Physics B,2012,21(6):067503-1-067503-4.
APA 卓世异.,刘学超.,熊泽.,99.,忻隽.,...&施尔畏.(2012).Defects mediated ferromagnetism in a V-doped 6H-SiC single crystal.Chinese Physics B,21(6),067503-1-067503-4.
MLA 卓世异,et al."Defects mediated ferromagnetism in a V-doped 6H-SiC single crystal".Chinese Physics B 21.6(2012):067503-1-067503-4.

入库方式: OAI收割

来源:上海硅酸盐研究所

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