Defects mediated ferromagnetism in a V-doped 6H-SiC single crystal
文献类型:期刊论文
| 作者 | Zhuo SY(卓世异) ; Liu XC(刘学超) ; Xiong Z(熊泽) ; 99 ; Xin J(忻隽) ; Yang JH(杨建华) ; Shi EW(施尔畏) |
| 刊名 | Chinese Physics B
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| 出版日期 | 2012-01-02 |
| 卷号 | 21期号:6页码:067503-1-067503-4 |
| ISSN号 | 1674-1056 |
| 其他题名 | Defects mediated ferromagnetism in a V-doped 6H-SiC single crystal |
| 通讯作者 | 刘学超 |
| 学科主题 | 人工晶体 |
| 收录类别 | SCI收录 |
| 语种 | 英语 |
| WOS记录号 | WOS:000305403900078 |
| 公开日期 | 2013-07-19 |
| 源URL | [http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/3772] ![]() |
| 专题 | 上海硅酸盐研究所_中试基地_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhuo SY,Liu XC,Xiong Z,et al. Defects mediated ferromagnetism in a V-doped 6H-SiC single crystal[J]. Chinese Physics B,2012,21(6):067503-1-067503-4. |
| APA | 卓世异.,刘学超.,熊泽.,99.,忻隽.,...&施尔畏.(2012).Defects mediated ferromagnetism in a V-doped 6H-SiC single crystal.Chinese Physics B,21(6),067503-1-067503-4. |
| MLA | 卓世异,et al."Defects mediated ferromagnetism in a V-doped 6H-SiC single crystal".Chinese Physics B 21.6(2012):067503-1-067503-4. |
入库方式: OAI收割
来源:上海硅酸盐研究所
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