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缺陷含量对ZnO薄膜忆阻器非极性电阻转变特性的影响

文献类型:期刊论文

作者Feng Zhang ; Xiaomin Li ; XiangdongGao ; LiangWu ; FuweiZhuge ; QunWang ; Xinjun Liu99 ; RuiYang99 ; YongHe
刊名Solid State Communications
出版日期2012-04-05
期号152页码:1630-1634
ISSN号0038-1098
其他题名Effect of defect content on the unipolar resistive switching characteristics of ZnO thin film memory devices
通讯作者Xiaomin Li
学科主题材料科学
收录类别SCI收录,SSCI收录
公开日期2013-07-19
源URL[http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/3424]  
专题上海硅酸盐研究所_高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Feng Zhang,Xiaomin Li,XiangdongGao,等. 缺陷含量对ZnO薄膜忆阻器非极性电阻转变特性的影响[J]. Solid State Communications,2012(152):1630-1634.
APA Feng Zhang.,Xiaomin Li.,XiangdongGao.,LiangWu.,FuweiZhuge.,...&YongHe.(2012).缺陷含量对ZnO薄膜忆阻器非极性电阻转变特性的影响.Solid State Communications(152),1630-1634.
MLA Feng Zhang,et al."缺陷含量对ZnO薄膜忆阻器非极性电阻转变特性的影响".Solid State Communications .152(2012):1630-1634.

入库方式: OAI收割

来源:上海硅酸盐研究所

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