缺陷含量对ZnO薄膜忆阻器非极性电阻转变特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | Feng Zhang ; Xiaomin Li ; XiangdongGao ; LiangWu ; FuweiZhuge ; QunWang ; Xinjun Liu99 ; RuiYang99 ; YongHe |
| 刊名 | Solid State Communications
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| 出版日期 | 2012-04-05 |
| 期号 | 152页码:1630-1634 |
| ISSN号 | 0038-1098 |
| 其他题名 | Effect of defect content on the unipolar resistive switching characteristics of ZnO thin film memory devices |
| 通讯作者 | Xiaomin Li |
| 学科主题 | 材料科学 |
| 收录类别 | SCI收录,SSCI收录 |
| 公开日期 | 2013-07-19 |
| 源URL | [http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/3424]  |
| 专题 | 上海硅酸盐研究所_高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Feng Zhang,Xiaomin Li,XiangdongGao,等. 缺陷含量对ZnO薄膜忆阻器非极性电阻转变特性的影响[J]. Solid State Communications,2012(152):1630-1634. |
| APA | Feng Zhang.,Xiaomin Li.,XiangdongGao.,LiangWu.,FuweiZhuge.,...&YongHe.(2012).缺陷含量对ZnO薄膜忆阻器非极性电阻转变特性的影响.Solid State Communications(152),1630-1634. |
| MLA | Feng Zhang,et al."缺陷含量对ZnO薄膜忆阻器非极性电阻转变特性的影响".Solid State Communications .152(2012):1630-1634. |
入库方式： OAI收割
来源：上海硅酸盐研究所
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