高强度高导电性纳米晶体铜材料
文献类型：成果
| 主要完成人 | 中国科学院金属研究所 |
| 获奖日期 | 2003 |
| 关键词 | 高强度 高导电性 纳米晶体铜材料 导电材料 |
| 中文摘要 | 该专利是一种高强度、高导电性的纳米晶体铜材料。其密度为8.91±0.03g/cm<'3>，纯度达99.995wt％±0.003wt％，晶粒尺寸5～80nm，电导率g达80％LACS～99％LACS，断裂强度达200～600MPa，晶粒之间的取向差为1～35°，变形量为0～5100％。其制备方法为：①利用电解沉积技术制备三维块状纳米晶体铜材料；②制备高强度、高导电性纳米晶体铜材料；③将上述电解沉积纳米金属铜材料在室温下冷轧，变形速率为1×10<'-3>～1×10<'-2>/s。该纳米晶体铜材料既具有高强度又有高导电性。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/68613]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中国科学院金属研究所. 高强度高导电性纳米晶体铜材料. . 2003. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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