热解氮化硼大口径坩埚及其在半导体工业中的应用
文献类型：成果
| 主要完成人 | 赵凤鸣 ; 何宏家 ; 夏德谦 ; 王勇 ; 刘同顺 ; 曹福年 ; 陈宏毅 ; 梁宗俊 ; 姜维新 ; 朱自明 ; 李伟 ; 谢自力 ; 程其祥 ; 隆雅琴 ; 陈宏亮 |
| 获奖日期 | 1992 |
| 关键词 | 大尺度 砷化镓 单晶制备 生产工艺 坩埚 氮化硼陶瓷 高温陶瓷 |
| 中文摘要 | 该项成果采用中频感应炉加热气相沉积新工艺，研制出φ４″和５″的热解氮化硼（ＰＢＮ）大口径坩埚，并在单晶炉内合成了国家急需研制的ＧａＡｓ单晶，显著提高了半绝缘ＧａＡｓ单晶质量，促进了我国ＧａＡｓ超高速数字集成电路、微波单片集成电路、ＧａＡｓ低噪音和功率场效应器件的发展，具有重大的社会效益和经济效益。该坩埚纯度高，厚度均匀，使用寿命长，重复性好。用此坩埚生长出热稳定性好和均匀的不掺杂ＳＩ—ＧａＡｓ单晶，并创造了一整套拉晶控制技术。该产品填补了国内空白，打破了西方对我国的封锁。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/68919]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵凤鸣,何宏家,夏德谦,等. 热解氮化硼大口径坩埚及其在半导体工业中的应用. . 1992. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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