一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网络的方法
文献类型：成果
| 主要完成人 | 从洪涛 ; 唐永炳 ; 成会明 |
| 获奖日期 | 2010 |
| 关键词 | 氧化硅薄膜 外延定向生长 纳米片网格结构 |
| 中文摘要 | 一种刻蚀基板法外延定向生长AlN纳米片网格的方法，采用刻蚀Si基板和反应物气相蒸发法制备垂直排列的AlN纳米片蜂窝状网格，首先用含1-5%的氢氟酸或盐酸腐蚀液刻蚀Si片1-20min，然后去除表面的氧化硅薄膜，用Al+AlCl3作反应物放置在真空CVD炉的恒温区，刻蚀后的Si片作沉积基板放在出气端，用蒸发法制备出具有蜂窝状网格形状的AlN纳米片。这种Si基板自生模板，与常规氧化铝多孔模板相比，可避免外加模板的杂质污染和清除模板时对所生长纳米结构的破坏。又因为Si基板表面的刻蚀沟槽是连通的，所以这种刻蚀基板法更适合外延定向生长纳米片网格结构。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/69167]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 从洪涛,唐永炳,成会明. 一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网络的方法. . 2010. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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