InGaN薄膜材料的MOCVD生长及物性研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 郭严 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2010 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 刘祥林 ; 朱勤生 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 英文摘要 | Submitted by 阎军 (yanj@red.semi.ac.cn) on 2010-06-07T01:04:23Z No. of bitstreams: 1 郭严博士论文.pdf: 26872311 bytes, checksum: 3c26f92ff401022162e7b6407ef6a1ae (MD5); Submitted by 阎军 (yanj@red.semi.ac.cn) on 2010-06-07T01:04:23Z No. of bitstreams: 1 郭严博士论文.pdf: 26872311 bytes, checksum: 3c26f92ff401022162e7b6407ef6a1ae (MD5) |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-06-07 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/11287]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭严. InGaN薄膜材料的MOCVD生长及物性研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2010. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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