A Double-Gate AlGaN/GaN HEMT With Improved Dynamic Performance
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yu, Guohao ; Cai, Yong ; Wang, Yue ; Dong, Zhihua ; Zeng, Chunhong ; Zhao, Desheng ; Qin, Hua ; Zhang, Baoshun |
| 刊名 | ieee electron device letters
 |
| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 34期号:6页码:747-749 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-08-27 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24262]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yu, Guohao,Cai, Yong,Wang, Yue,et al. A Double-Gate AlGaN/GaN HEMT With Improved Dynamic Performance[J]. ieee electron device letters,2013,34(6):747-749. |
| APA | Yu, Guohao.,Cai, Yong.,Wang, Yue.,Dong, Zhihua.,Zeng, Chunhong.,...&Zhang, Baoshun.(2013).A Double-Gate AlGaN/GaN HEMT With Improved Dynamic Performance.ieee electron device letters,34(6),747-749. |
| MLA | Yu, Guohao,et al."A Double-Gate AlGaN/GaN HEMT With Improved Dynamic Performance".ieee electron device letters 34.6(2013):747-749. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。