Observation of photo darkening in self assembled InGaAs/GaAs quantum dots
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, Hongyi ; Chen, Yonghai ; Zhou, Xiaolong ; Jia, Yanan ; Ye, Xiaoling ; Xu, Bo ; Wang, Zhanguo |
| 刊名 | journal of applied physics
 |
| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 113期号:17页码:173508 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-08-27 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24289]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, Hongyi,Chen, Yonghai,Zhou, Xiaolong,et al. Observation of photo darkening in self assembled InGaAs/GaAs quantum dots[J]. journal of applied physics,2013,113(17):173508. |
| APA | Zhang, Hongyi.,Chen, Yonghai.,Zhou, Xiaolong.,Jia, Yanan.,Ye, Xiaoling.,...&Wang, Zhanguo.(2013).Observation of photo darkening in self assembled InGaAs/GaAs quantum dots.journal of applied physics,113(17),173508. |
| MLA | Zhang, Hongyi,et al."Observation of photo darkening in self assembled InGaAs/GaAs quantum dots".journal of applied physics 113.17(2013):173508. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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