Dielectric and barrier thickness fluctuation scattering in Al2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high-electron mobility transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ji, Dong ; Lu, Yanwu ; Liu, Bing ; Liu, Guipeng ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo |
| 刊名 | thin solid films
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 534页码:655-658 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-08-27 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24299]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ji, Dong,Lu, Yanwu,Liu, Bing,et al. Dielectric and barrier thickness fluctuation scattering in Al2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high-electron mobility transistors[J]. thin solid films,2013,534:655-658. |
| APA | Ji, Dong,Lu, Yanwu,Liu, Bing,Liu, Guipeng,Zhu, Qinsheng,&Wang, Zhanguo.(2013).Dielectric and barrier thickness fluctuation scattering in Al2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high-electron mobility transistors.thin solid films,534,655-658. |
| MLA | Ji, Dong,et al."Dielectric and barrier thickness fluctuation scattering in Al2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high-electron mobility transistors".thin solid films 534(2013):655-658. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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