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X-ray probe of GaN thin films grown on InGaN compliant substrates

文献类型:期刊论文

作者Xu, Xiaoqing ; Li, Yang ; Liu, Jianming ; Wei, Hongyuan ; Liu, Xianglin ; Yang, Shaoyan ; Wang, Zhanguo ; Wang, Huanhua
刊名applied physics letters
出版日期2013
卷号102期号:13页码:132104
学科主题半导体材料
收录类别SCI
语种英语
公开日期2013-08-27
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24306]  
专题半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Xu, Xiaoqing,Li, Yang,Liu, Jianming,et al. X-ray probe of GaN thin films grown on InGaN compliant substrates[J]. applied physics letters,2013,102(13):132104.
APA Xu, Xiaoqing.,Li, Yang.,Liu, Jianming.,Wei, Hongyuan.,Liu, Xianglin.,...&Wang, Huanhua.(2013).X-ray probe of GaN thin films grown on InGaN compliant substrates.applied physics letters,102(13),132104.
MLA Xu, Xiaoqing,et al."X-ray probe of GaN thin films grown on InGaN compliant substrates".applied physics letters 102.13(2013):132104.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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