Stable p- and n-type doping of few-layer graphene/graphite
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Meng, Xiuqing; Tongay, Sefaattin; Kang, Jun; Chen, Zhanghui; Wu, Fengmin; Li, Shu-Shen; Xia, Jian-Bai; Li, Jingbo; Wu, Junqiao |
| 刊名 | carbon
 ; CARBON
|
| 出版日期 | 2013 ; 2013 |
| 卷号 | 57页码:507-514 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2013-08-27 ; 2013-08-27 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24261]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Meng, Xiuqing,Tongay, Sefaattin,Kang, Jun,et al. Stable p- and n-type doping of few-layer graphene/graphite, Stable p- and n-type doping of few-layer graphene/graphite[J]. carbon, CARBON,2013, 2013,57, 57:507-514, 507-514. |
| APA | Meng, Xiuqing.,Tongay, Sefaattin.,Kang, Jun.,Chen, Zhanghui.,Wu, Fengmin.,...&Wu, Junqiao.(2013).Stable p- and n-type doping of few-layer graphene/graphite.carbon,57,507-514. |
| MLA | Meng, Xiuqing,et al."Stable p- and n-type doping of few-layer graphene/graphite".carbon 57(2013):507-514. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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