Anomalous Raman spectra and thickness-dependent electronic properties of WSe2
文献类型:期刊论文
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| 作者 | Sahin, H.; Tongay, S.; Horzum, S.; Fan, W.; Zhou, J.; Li, J.; Wu, J.; Peeters, F. M. |
| 刊名 | physical review b
; PHYSICAL REVIEW B
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| 出版日期 | 2013 ; 2013 |
| 卷号 | 87期号:16页码:165409 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2013-08-27 ; 2013-08-27 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24292] ![]() |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Sahin, H.,Tongay, S.,Horzum, S.,et al. Anomalous Raman spectra and thickness-dependent electronic properties of WSe2, Anomalous Raman spectra and thickness-dependent electronic properties of WSe2[J]. physical review b, PHYSICAL REVIEW B,2013, 2013,87, 87(16):165409, 165409. |
| APA | Sahin, H..,Tongay, S..,Horzum, S..,Fan, W..,Zhou, J..,...&Peeters, F. M..(2013).Anomalous Raman spectra and thickness-dependent electronic properties of WSe2.physical review b,87(16),165409. |
| MLA | Sahin, H.,et al."Anomalous Raman spectra and thickness-dependent electronic properties of WSe2".physical review b 87.16(2013):165409. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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