540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier
文献类型：期刊论文
| 作者 | Cui, Kai ; Ma, Wenquan ; Zhang, Yanhua ; Huang, Jianliang ; Wei, Yang ; Cao, Yulian ; Guo, Xiaolu ; Li, Qiong |
| 刊名 | ieee electron device letters
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 34期号:6页码:759-761 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-08-27 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24282]  |
| 专题 | 半导体研究所_纳米光电子实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cui, Kai,Ma, Wenquan,Zhang, Yanhua,et al. 540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier[J]. ieee electron device letters,2013,34(6):759-761. |
| APA | Cui, Kai.,Ma, Wenquan.,Zhang, Yanhua.,Huang, Jianliang.,Wei, Yang.,...&Li, Qiong.(2013).540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier.ieee electron device letters,34(6),759-761. |
| MLA | Cui, Kai,et al."540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier".ieee electron device letters 34.6(2013):759-761. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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