Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Su, X. J. ; Xu, K. ; Ren, G. Q. ; Wang, J. F. ; Xu, Y. ; Zeng, X. H. ; Zhang, J. C. ; Cai, D. M. ; Zhou, T. F. ; Liu, Z. H. ; Yang, H. |
| 刊名 | journal of crystal growth
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 372页码:43-48 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-08-27 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24266]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Su, X. J.,Xu, K.,Ren, G. Q.,et al. Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy[J]. journal of crystal growth,2013,372:43-48. |
| APA | Su, X. J..,Xu, K..,Ren, G. Q..,Wang, J. F..,Xu, Y..,...&Yang, H..(2013).Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy.journal of crystal growth,372,43-48. |
| MLA | Su, X. J.,et al."Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy".journal of crystal growth 372(2013):43-48. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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