Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhou, Kun ; Liu, Jianping ; Zhang, Shuming ; Li, Zengcheng ; Feng, Meixin ; Li, Deyao ; Zhang, Liqun ; Wang, Feng ; Zhu, Jianjun ; Yang, Hui |
| 刊名 | journal of crystal growth
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 371页码:7-10 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-08-27 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24276]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhou, Kun,Liu, Jianping,Zhang, Shuming,et al. Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy[J]. journal of crystal growth,2013,371:7-10. |
| APA | Zhou, Kun.,Liu, Jianping.,Zhang, Shuming.,Li, Zengcheng.,Feng, Meixin.,...&Yang, Hui.(2013).Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy.journal of crystal growth,371,7-10. |
| MLA | Zhou, Kun,et al."Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy".journal of crystal growth 371(2013):7-10. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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