新型MIp+-Al0.3Ga0.7As/p-n-n+-GaAs太阳电池的设计与I-V特性理论分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 涂洁磊 ; 陈庭金 ; 王履芳 |
| 刊名 | 工程热物理学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:1页码:18 ，21 |
| 公开日期 | 2013-08-21 |
| 源URL | [http://ir.etp.ac.cn/handle/311046/68549]  |
| 专题 | 工程热物理研究所_工程热物理学报_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 涂洁磊,陈庭金,王履芳. 新型MIp+-Al0.3Ga0.7As/p-n-n+-GaAs太阳电池的设计与I-V特性理论分析[J]. 工程热物理学报,2005,26(1):18 ，21. |
| APA | 涂洁磊,陈庭金,&王履芳.(2005).新型MIp+-Al0.3Ga0.7As/p-n-n+-GaAs太阳电池的设计与I-V特性理论分析.工程热物理学报,26(1),18 ，21. |
| MLA | 涂洁磊,et al."新型MIp+-Al0.3Ga0.7As/p-n-n+-GaAs太阳电池的设计与I-V特性理论分析".工程热物理学报 26.1(2005):18 ，21. |
入库方式： OAI收割
来源：工程热物理研究所
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