边缘发射的半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 贝恩哈德·施托耶茨; 格奥尔格·布吕德尔 |
| 专利号 | CN109075529A |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 边缘发射的半导体激光器 |
| 英文摘要 | 在一个实施方式中，边缘发射的半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生辐射的有源区(22)。电的接触接片(3)处于半导体层序列(2)的上侧(20)上。接触接片(3)仅在一个电接触区域(30)中施加在上侧(20)上或仅在该接触区域(30)中与上侧(20)电接触。有源区(22)仅局部地被通电。接触接片(3)包括多个金属层(31‑35)，所述金属层彼此上下堆叠地设置。金属层(31‑35)中的至少一个设有结构化部(4)，使得所述金属层仅部分地覆盖接触区域(30)和具有至少一个开口(41)和/或中断部(42)。通过结构化部(4)由于金属层(31‑35)和/或半导体层序列(2)的不同的热膨胀系数减小半导体层序列(2)和/或接触接片(3)的应力。 |
| 公开日期 | 2018-12-21 |
| 申请日期 | 2017-03-27 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43282]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贝恩哈德·施托耶茨,格奥尔格·布吕德尔. 边缘发射的半导体激光器. CN109075529A. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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